En los últimos años, la tecnología de semiconductores se ha desarrollado rápidamente y la demanda de tantalio utilizado como película pulverizada ha aumentado gradualmente. En los circuitos integrados, el tantalio se coloca entre los conductores de cobre y silicio como barrera de difusión. Métodos de producción parapulverización de objetivos de tantalioincluyen metalurgia de lingotes (I/M) y metalurgia de polvos (P/M). Los objetivos de tantalio con requisitos más bajos generalmente están hechos de lingotes de tantalio. Sin embargo, en algunos casos con requisitos más altos, el método I/M no se puede usar y el método de pulvimetalurgia solo se puede usar para producirlo. Por ejemplo, el método I/M no puede producir objetivos de aleación debido a los diferentes puntos de fusión del tantalio y el silicio, y la baja tenacidad de los compuestos de silicio.
Las sustancias que contaminan el dispositivo semiconductor no deben estar presentes en la formación de la película. Cuando se forma la película de pulverización catódica, si hay impurezas en el objetivo de tantalio (aleación, compuesto), las impurezas se introducirán en la cámara de pulverización catódica, lo que provocará que las partículas gruesas se adhieran al sustrato y produzcan un cortocircuito en el circuito de la película delgada. Al mismo tiempo, las impurezas también pueden ser la razón del aumento de partículas sobresalientes en la película delgada. Los gases de impureza como oxígeno, carbono, hidrógeno y nitrógeno en el objetivo causarán fenómenos anormales y causarán problemas en la uniformidad de la película formada. Además, para el método de pulvimetalurgia, la uniformidad de la película depositada es función del tamaño de grano en el objetivo, y cuanto más fino es el grano en el objetivo, más uniforme es la película obtenida. Por lo tanto, existe una necesidad en la técnica de polvos de tantalio y dianas de tantalio de alta calidad. Por lo tanto, para obtener polvo de tantalio de alta calidad y objetivo de tantalio, es necesario reducir el contenido de impurezas en el polvo de tantalio y aumentar la pureza del polvo de tantalio.
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