Con el rápido desarrollo de la tecnología de semiconductores, la demanda de tantalio utilizado como película pulverizada aumenta gradualmente. En los circuitos integrados, el tantalio actúa como barrera de difusión. entre el silicio seco y el cuerpo del líder. Los métodos de producción de objetivos de pulverización catódica son la metalurgia de lingotes (L/M) y la metalurgia de polvos (P/M). Los objetivos comúnmente utilizados generalmente están hechos de lingotes de molibdeno, pero en algunos casos especiales, como los objetivos de aleación de plata y silicio, el método L/M no se puede utilizar debido a los diferentes puntos de fusión del tantalio y el silicio y la baja tenacidad de los compuestos de silicio. Solo se puede utilizar la pulvimetalurgia como objetivo.
El rendimiento del objetivo afecta directamente al rendimiento de la película pulverizada. Las sustancias que contaminan el dispositivo semiconductor no deben estar presentes en la formación de la película. Durante la formación de la película de pulverización de metal, si hay impurezas en el objetivo de tantalio, se introducirán impurezas en la cámara de pulverización de tantalio, lo que provocará que las partículas gruesas se adhieran al sustrato del objetivo y que el circuito de la película delgada falle. Al mismo tiempo, las impurezas también pueden causar un aumento de partículas sobresalientes en la película delgada. En particular, las impurezas tales como oxígeno gaseoso, carbono, hidrógeno, nitrógeno, etc., presentes en el blanco son más dañinas porque provocan descargas anormales, causando problemas con la uniformidad de la película formada. Además, para los métodos de pulvimetalurgia, la uniformidad de la película depositada es una función del tamaño de grano en el objetivo, con granos más finos en el objetivo que dan como resultado una película más uniforme. Por lo tanto, existen altos requisitos para la calidad del polvo de tantalio y los objetivos de tantalio.
Para obtener objetivos de tantalio y polvo de plata de alta calidad, primero se debe reducir el contenido de impurezas en el polvo de molibdeno y se debe mejorar la pureza del polvo de tantalio. Como todos sabemos, el rendimiento del material de tantalio es relativamente estable, pero el polvo de tantalio con un tamaño de partícula relativamente fino es muy activo. Incluso a temperaturas normales, es fácil reaccionar con el oxígeno y el nitrógeno, lo que aumentará en gran medida el contenido de impurezas como el oxígeno y el nitrógeno en el polvo de tantalio. mejorar. Aunque la pureza de algunos productos metálicos de tantalio, como los lingotes comerciales de tantalio, puede alcanzar el 99,995 por ciento o incluso más, cuanto más fino es el polvo de tantalio, mayor es la actividad correspondiente y también aumenta la capacidad de adsorber oxígeno, nitrógeno, hidrógeno y carbono. Elevar la pureza del polvo de tantalio por encima del 99,99 por ciento siempre se ha considerado bastante difícil y difícil de lograr. Incluso se considera que es difícil reducir aún más el contenido de cualquiera de las impurezas nocivas oxígeno, carbono, hidrógeno y nitrógeno, y es aún más difícil reducir el contenido de estas cuatro impurezas nocivas al mismo tiempo. Sin embargo, la reducción del tamaño de partícula del polvo de tantalio es muy necesaria para mejorar la calidad del polvo de tantalio y los objetivos de tantalio. El campo objetivo espera obtener polvo de tantalio de alta pureza con un tamaño de partícula promedio de D<25>
Baoji Yusheng Metal Technology Co., Ltd. puede producir varios tipos de productos de tantalio comoobjetivos de tantalio de alta pureza, blancos de tantalio para pulverización catódica y blancos de tantalio para semiconductores. Las necesidades de compra correspondientes, puede ponerse en contacto con el personal de nuestra empresa en cualquier momento.
