Objetivos de farfulla de tungsteno y titanio

Objetivos de pulverización catódica de tungsteno y titanio:

Nuestros objetivos de pulverización catódica de tungsteno y titanio se producen utilizando técnicas de fabricación pulvimetalúrgicas de última generación. Ofrecemos objetivos de pulverización catódica WTi en una variedad de tamaños, hasta 400 milímetros de diámetro. Estamos entre los primeros fabricantes en crear WTi como objetivo giratorio y plano. El contenido de titanio de nuestros objetivos de WTi suele ser del 10% en peso.

Objetivos de pulverización catódica de tungsteno-titanio

Aleación de tungsteno-titanio

Áreas de aplicación del tungsteno-titanio:
El tungsteno-titanio (WTi), que contiene un 10% de titanio en peso, se utiliza como pegamento de metalización y barrera de difusión en microchips. En este caso, se utiliza WTi para separar las capas de metalización y semiconductoras, como por ejemplo el cobre del silicio o el aluminio del silicio. Sin barreras de difusión, el silicio y el cobre se combinarían para crear una fase intermetálica en los microchips, lo que comprometería el rendimiento del semiconductor. Se utiliza una capa de barrera de WTi en células solares de película delgada flexibles (CIGS) para evitar que los iones de hierro se difundan a través del contacto posterior de molibdeno hacia el semiconductor. La eficiencia de las células solares CIGS se puede reducir considerablemente con tan solo unos pocos g/g de hierro.

a.La pulvimetalurgia se utiliza para crear objetivos de pulverización catódica de tungsteno y titanio, que se utilizan ampliamente en la fabricación de semiconductores y células solares de película delgada.

b.La película delgada WTi 10% en peso se utiliza en aplicaciones de semiconductores como capa de adhesión y barrera de difusión para aislar las capas de metalización del semiconductor, como el cobre o el aluminio del silicio. Como resultado, la función del transistor en los microchips se puede mejorar enormemente.

c.La película delgada de WTi al 10% en peso también se usa en células solares de película delgada como capa de barrera para evitar que los iones de hierro se difundan desde el sustrato de acero al contacto posterior de molibdeno y al semiconductor CIGS. También se usan objetivos hechos de tungsteno-titanio para cubrir herramientas y LED. .

En las dos figuras, debajo de la construcción esquemática de una célula solar CIGS a la izquierda, se muestra una metalización de semiconductores con chip invertido utilizando capas de WTi.

La calidad de la capa aumenta con la pureza de la sustancia de recubrimiento. Para garantizar el mayor nivel de pureza del material, utilizamos únicamente el polvo más puro y lo mezclamos en nuestras propias instalaciones desde el principio. Desde el polvo hasta el producto terminado, observamos de cerca cada etapa para asegurarnos de que solo los objetivos con la densidad, pureza y microestructura homogénea garantizadas y precisas salgan de nuestras instalaciones.

Nuestra fábrica es capaz de fabricar objetivos con WTi 90/10% en peso, WTi 85/15% en peso y objetivos de pulverización catódica de tungsteno y titanio de composición especial que se pueden personalizar. La densidad de los objetivos reales es > 99% y el tamaño de grano típico es 100um. Los usuarios finales pueden lograr tasas de erosión constantes y un recubrimiento de película delgada homogéneo y de alta pureza durante el proceso PVD con una pureza de hasta 4N5 y un tratamiento de recocido especial, tamaño de grano uniforme y contenido de gas reducido.

Si tiene alguna necesidad o pregunta, no dude en contactarnos.

 

 

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